正壓送風(fēng)壓力傳感器主要用于高層建筑消防正壓送風(fēng)系統(tǒng)（前室，樓梯間，地下避難等通風(fēng)）壓力的控制。該產(chǎn)品采用雙行四位數(shù)字顯示，分別顯示實測差壓值及控制輸出差壓值（產(chǎn)品可根據(jù)不同要求設(shè)定不同的控制輸出壓力值及復(fù)位壓力值）；帶報警指示燈顯示。當(dāng)壓力傳感器壓力值達到設(shè)定值（25~30PA），壓力傳感器常開觸點閉合，接通樓頂旁通泄壓閥控制箱電源，處于樓頂?shù)呐酝ㄐ箟洪y打開進行送風(fēng)泄壓，降低前室或樓梯間的壓力值，當(dāng)壓力值降低到一定值（通?；夭顬?5PA），壓力傳感器控制旁通泄壓閥控制箱?觸點斷開，樓頂旁通閥斷電，旁通閥閉合停止泄壓。

壓電式傳感器心乂還可以用來測定發(fā)動機

壓電式傳感器心乂還可以用來測定發(fā)動機內(nèi)部燃燒壓力的測定與真空度的測定。還可以用于軍事工業(yè)，比如用它來測定炮在膛中擊發(fā)的一瞬間的膛壓的變化和炮口的沖擊波壓力。它既可以用來測定大的壓力，還可以用來測定微小的壓力。 壓電式傳感器也廣泛應(yīng)用在生物醫(yī)學(xué)測定中，例如心室導(dǎo)管式微音器便是由壓電傳感器做成的，由于測定動態(tài)壓力是這么普遍，因此 壓電傳感器的運用就十分普遍。除開壓電傳感器之外，也有運用壓阻現(xiàn)象制造出來的壓阻傳感器，運用應(yīng)變現(xiàn)象的應(yīng)變式傳感器等，這種不一樣的前室壓力傳感器選型運用不一樣的現(xiàn)象和不一樣的材質(zhì)，在不一樣的場合能夠充分發(fā)揮他們特有的用處。

化合物半導(dǎo)體材料硅是制作微機電器件和裝置的主要材料

四、化合物半導(dǎo)體材料 硅是制作微機電器件和裝置的主要材料。為了提高器件和系統(tǒng)的性能以及擴大應(yīng)用范圍，化合物半導(dǎo)體材料在某些專門技術(shù)方面起著重要作用。如在紅外光、可見光及紫外光波段的成像器和探測器中，PbSe、InAs、Hg1-xCdxTe(x代表Cd的百分比)等材料得到日益廣泛的應(yīng)用。 現(xiàn)以紅外探測器為例加以說明。利用紅外幅射與物質(zhì)作用產(chǎn)生的各種效應(yīng)發(fā)展起來的，實用的光敏探測器，主要是針對紅外幅射在大氣傳輸中透射率為清晰的3個波段（1-3μm，3-5μm，8-14μm）研制的。對于波長1-3μm敏感的探測器有PbS、InAs及Hg0.61Cd0.39Te；對于波長3-5μm敏感的探測器有InAs、PbSe及Hg0.73Cd0.27Te；對于波長8-14μm敏感的探險測器則有Pb1-xSnxTe、Hg0.8Cd0.2Te及非本征（摻雜）半導(dǎo)體Ge:Hg,Si:Ga及Si:Al等。其中3元合金Hg1-xCdxTe是一種本征吸收材料，通過調(diào)整材料的組分，不僅可以制成適合3個波段的器件，還可以開發(fā)更長工作波段（1-30μm）的應(yīng)用，因而備受人們的關(guān)注。 須指出的是，上述材料需要在低溫（如77K）下工作。因為在室溫下，由于晶格振動能量與雜質(zhì)能量的相互作用，使熱激勵的載流子數(shù)增加，而激發(fā)的光子數(shù)則明顯減少，從而降低了波長區(qū)的探測靈敏度。

硅單芯片為襯底的SiC薄膜

五、SiC薄膜材料 SiC是另一種在特殊環(huán)境下使用的化合物半導(dǎo)體。它由碳原子和硅原子組成。利用離子注入摻雜技術(shù)將碳原子注入單晶硅內(nèi)，便可獲得的立方體結(jié)構(gòu)的SiC。隨著摻雜濃度的差異得到的晶體結(jié)構(gòu)不同，可表示為β-SiC。β表示不同形態(tài)的晶體結(jié)構(gòu)。用離子注入法得到的SiC材料，自身的物理、化學(xué)及電學(xué)特性優(yōu)異，表現(xiàn)出高強度、大剛度、內(nèi)部殘余應(yīng)力很低、化學(xué)惰性極強、較寬的禁帶寬度（近乎硅的1-2倍）及較高的壓阻系數(shù)的特性；因此，SiC材料能在高溫下耐腐蝕、抗輻射，并具有穩(wěn)定的電學(xué)性質(zhì)。非常適合在高溫、惡劣環(huán)境下工作的微機電選擇使用。 由于SiC單晶體材料成本高，硬度大及加工難度大，所以硅單晶片為襯底的SiC薄膜就成為研究和使用的理想選擇。通過離子注入，化學(xué)氣相淀積（VCD）等技術(shù)，將其制在Si襯底上或者絕緣體襯底（SiCOI）上，供設(shè)計者選用。例如航空發(fā)動機、火箭、及等耐熱腔體及其表面部位的壓力測量，便可選用以絕緣體為襯底的SiC薄膜，作為感壓元件（膜片），并制成高溫壓力微傳感器，實現(xiàn)上述場合的壓力測量。測壓時的工作溫度可達到600℃以上。